Обнаружено новое свойство диэлектриков

Исследователи из Лондонского центра нанотехнологий создали теоретическую модель, описывающую свойства металлических оксидов с высокой диэлектрической постоянной (высоким k), которые в будущем могут использоваться вместо оксида кремния в качестве затворного диэлектрика транзисторов.

Ранее считалось, что свойство диэлектриков захватывать заряды обусловлено структурными несовершенствами материала. Группа ученых под руководством проф. Александра Шлюгера (Alexander Shluger) показала, что, даже если материал с высоким k обладает совершенной структурой, носители заряда (электроны или «дырки») могут испытывать «самозахватывание» (‘self trapping’). Этот процесс происходит через формирование поляронов, в результате которого образуется энергетическая яма, удерживающая заряд.

Обнаружение нового свойства оксидов переходных металлов может привести к открытию способа подавления нежелательных свойств этих материалов, сообщает EurekAlert.