Новый материал в 5 раз повысит плотность памяти FeRAM

Fujitsu Laboratories и Fujitsu Limited совместно с Токийским технологическим институтом объявили о создании нового материала для ферромагнитной памяти Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), сообщается в пресс-релизе компании Fujitsu. Материал представляет собой модифицированный композит феррита висмута (BiFeO3 или BFO). По словам разработчиков, это позволяет увеличить в 5 раз объем хранимой информации по сравнению с предыдущими поколениями FeRAM.

Новые модули памяти будут производиться по 65-нанометровому технологическому процессу из материала на основе феррита висмута. Структура модулей будет аналогична модулям FeRAM, производимым по 180-нм техпроцессу. Использование нового материала позволит записывать до 256 Мбит в одну ячейку памяти.

Новая FeRAM также обеспечит низкое энергопотребление и высокую скорость доступа, которые необходимы для мобильных устройств, таких как чиповые карты, которые должны быть компактными, простыми в использовании и одновременно хорошо защищенными. Поставка опытных образцов планируется уже в 2009 году.

Массовое производство FeRAM компанией Fujitsu началось в 1999 году, и к марту 2006 года потребителям было поставлено несколько сотен миллионов микросхем – как в сборке, так и отдельных чипов, в том числе чипы FeRAM плотностью 1 Мбит.

Материал, который является носителем информации в FeRAM, состоит из висмута, железа и кислорода, образующих псевдокубическую структуру, называемую «перовскит» (в честь русского минералога графа Л.А. Перовского, 1792-1856).

Раньше в качестве носителя использовался титанат или цирконат свинца (Pb(Zr,Ti)O3), но он обладает более низкой способностью сохранять заряд и ограниченной масштабируемостью. Технологический предел памяти на основе титаната свинца будет достигнут, как ожидается, при 130-нанометровом техпроцессе, поскольку при дальнейшем уменьшении размера ячеек памяти требуется большая поляризация. Эту проблему и позволит решить использование материала из феррита висмута.

Производство FeRAM по 65-нанометровому техпроцессу планируется осуществить на основе феррита висмута с добавками марганца. Предполагается, что данный тип памяти будет актуален до 2014 года.

#gallery#

Использование нового носителя информации позволит на два порядка увеличить емкость модулей памяти. С учетом возросшей плотности, новая FeRAM может применяться не только в системах контроля доступа, но и в производстве ноутбуков, а также устройств типа «электронная бумага».