NEC преодолеет 0,10-микронный технологический барьер в 2002 году
Компания NEC Corporation сообщила о начале сбора заказов с мая 2001 года на производство следующего поколения микросхем семейства CB-130 с использованием 0,095-мкм технологического...
Компания NEC Corporation сообщила о начале сбора заказов с мая 2001 года на производство следующего поколения микросхем семейства CB-130 с использованием 0,095-мкм технологического процесса.
Новые микросхемы будут работать на частотах свыше 1 ГГц, потреблять мощность около 0,9 Вт и насчитывать около 62 млн. полупроводниковых переходов. Производство этих чипов будет налажено с использованием технологии UX5 компании NEC на 0,10-мкм линии полупроводниковой фабрики в Ямагате (Yamagata), выпуск первых коммерческих партий продукции намечен на 2002 год.
В апреле 2000 года NEC был объялен инвестиционный план в размере ¥82 млрд., по которому фабрика Fab 5 в Ямагате будет производить чипы с медными проводниками по 0,10-мкм технологии.
Новые микросхемы будут работать на частотах свыше 1 ГГц, потреблять мощность около 0,9 Вт и насчитывать около 62 млн. полупроводниковых переходов. Производство этих чипов будет налажено с использованием технологии UX5 компании NEC на 0,10-мкм линии полупроводниковой фабрики в Ямагате (Yamagata), выпуск первых коммерческих партий продукции намечен на 2002 год.
В апреле 2000 года NEC был объялен инвестиционный план в размере ¥82 млрд., по которому фабрика Fab 5 в Ямагате будет производить чипы с медными проводниками по 0,10-мкм технологии.
Поделиться