MeRAM: компьютерная память может быть холодной

Исследователи из школы инженерных и прикладных наук при Калифорнийском университете внесли значительные улучшения, существенно продвинув вперед ультра-быстрый класс компьютерной памяти с высокой пропускной способностью. Этот тип называется магниторезистивной памятью с произвольным доступом или MRAM.

Свою новую разработку команда назвала MeRAM. Она имеет большой потенциал для использования почти во всех электронных устройствах - смартфонах, планшетах, компьютерах, микропроцессорах. Можно использовать ее и для хранения данных.

Ключевым преимуществом MeRAM по сравнению с другими технологиями является сочетание низкого энергопотребления, высокой скорости чтения и записи и энергонезависимость - способность сохранять данные при внезапном отключении питания.

В настоящее время магнитная память изготавливается на основе технологии с использованием спина электронов, а не только их зарядов. Эта технология (SST) использует электрический ток для записи данных в память. Она превосходит по многим характеристикам другие технологии, однако требует определенного - и немалого - количества энергии и, соответственно, вырабатывает тепло при записи. Кроме того, объемы такой памяти ограничены токами, необходимыми для записи информации на единицу площади.

В случае MeRAM ученые заменили ток, играющий ключевую роль в SST, напряжением. Это исключает необходимость передачи огромного количества электронов по проводам, а вместо этого использует разность электрических потенциалов для переключения магнитных битов и записи информации. В результате компьютер генерирует гораздо меньше тепла, что делает его до 1000 раз более энергоэффективным. И сама память может быть в 5 раз плотнее - в той же самой физической области хранится больше информации, что снижает стоимость передачи бита.

"Возможность переключения наноразмерных магнитов с использованием напряжения является важным и быстрорастущим направлением исследований в области магнетизма, - сказал ученый-электротехник Педрам Халили, руководитель проекта UCLA. - Эта работа - новый взгляд на такие вопросы, как управление переключением импульсов напряжения. А также на то, как устройства будут работать без необходимости внешнего магнитного поля и как интегрировать их в массивы памяти высокой плотности".