Intel расширит сферу действия закона Мура благодаря нанотехнологиям

На Intel Developer Forum в Сан-Хосе, корпорация Intel заявила, что в течение следующего десятилетия приложит все усилия к тому, чтобы способствовать скорейшему слиянию вычислительных и коммуникационных систем путем внедрения комплексных полупроводниковых технологий и таким образом приблизить наступление эпохи простых недорогих электронных устройств.

Выступая на форуме, главный директор корпорации Intel по технологиям Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) и старший вице-президент Суньлин Чжоу (Sunlin Chou) указали, что полупроводниковые технологии, соединяющие в себе вычислительные и коммуникационные функции, призваны распространить действие закона Мура на такие области, как беспроводная и оптическая связь. Напомним, что согласно закону Мура, плотность размещения транзисторов в интегральных схемах удваивается каждые два года, что соответствующим образом сказывается на росте производительности и снижении стоимости продукции.

В числе новейших технологий, над которыми работает корпорация, следует отметить "полупроводниковое радио" на базе производственного процесса с применением комплиментарных металло-оксидных полупроводников (КМОП) с пониженным энергопотреблением. В ближайшие годы такие радиоустройства будут интегрированы в микросхемы Intel, в результате чего любое устройство с такой микросхемой наделяется функциями беспроводной связи.

Пэт Гелсингер продемонстрировал настраиваемый лазер с применением полупроводниково-фотонных технологий, отметив, что результаты исследований, проводимых специалистами корпорации Intel, приведут к созданию высокоинтегрированных компонентов, подпадающих под действие закона Мура и объединяющих в единой микросхеме функции цифровых и оптико-электронных коммуникационных устройств на полупроводниковой основе.

Intel также работает над технологией, получившей название "сенсорные сети". Одно из эксплуатационных испытаний этой новинки проходит на острове Грейт-Дак в США, где специалисты из Научно-исследовательской лаборатории Беркли и Атлантического колледжа вводят в эксплуатацию беспроводные сенсорные сети, которые позволяют ученым без вмешательства извне следить за состоянием живой природы и среды обитания разнообразных организмов в естественных условиях.

Среди научно-исследовательских и проектно-конструкторских разработок Intel в области новых полупроводниковых технологий, материалов и компоновки устройств, способных расширить сферу применения закона Мура, особого упоминания заслуживают разработки в области литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV), новые диэлектрики для затворов транзисторов и транзисторные устройства в целом, а также такой новый материал, как оксид кремния в напряженном состоянии, который, начиная со следующего года, будет применяться в новом производственном процессе Intel с технологической нормой 90 нм.

Кроме того, на форуме сообщалось об экспериментальных разработках высокопроизводительных неплоских КМОП-транзисторов с тройным затвором (так называемых трехзатворных транзисторов). В отличие от современных "плоских" транзисторов, в устройствах нового типа будет применяться трехмерная архитектура, увеличивающая площадь поверхности затвора, что способствует наращиванию производительности и позволяет создавать высокоскоростные процессоры. Пока эти транзисторы нуждаются в серьезной доработке перед запуском их в производство, намеченным на вторую половину текущего десятилетия.

Источник: собственная информация CNews.ru.