Выбирай : Покупай : Используй
в фокусе
0

Intel: достигнута вертикальная интеграция PCM-памяти

Компания Intel объявила о достижении результата, позволяющего расширить диапазон масштабирования энергонезависимой памяти на основе эффекта фазового перехода в веществе - так называемой PCM (Phase...

Компания Intel объявила о достижении результата, позволяющего расширить диапазон масштабирования энергонезависимой памяти на основе эффекта фазового перехода в веществе - так называемой PCM (Phase Change Memory) памяти - за счёт "вертикальной" интерграции РСМ-модулей.

Технологический демонстратор нового типа представляет собой чип памяти объёмом 64 Мб, выполненный по технологии PCMS - PCM с так называемыми переключателями OTS (Ovonic Threshold Switch), выполненными в виде промежуточных слоёв.

Масштабируемость, как сообщается, удалось обеспечить без деградации характеристик РСМ-памяти - в первую очередь, высокой (по сравнению с NAND-памятью) скоростью записи, а также возможностью перезаписи данных миллионы раз.

Разработка выполнена специалистами компаний Intel и Numonyx. Более подробная информация о новой технологии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.

Комментарии