IBM улучшила показатели памяти eDRAM

На международной конференции по твердотельным цепям, прошедшей 11 - 15 февраля 2007 года в Сан-Франциско, компания IBM представила паять eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) с наилучшим на сегодняшний день показателем времени доступа.

Новая технология, по мнению компании, позволит более чем втрое увеличить объем встроенной в процессор памяти и удвоить показатели производительности процессоров. Новая технология будет использоваться в процессорах, производимых по 45-нм технологии. Серийное производство намечено на 2008 год.

Более подробная информация о новой технологии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.