IBM создала самый быстрый кремниевый транзистор
Компания IBM объявила о том, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор - основной "строительный блок" для создания микросхем. IBM рассчитывает...
Компания IBM объявила о том, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор - основной "строительный блок" для создания микросхем. IBM рассчитывает, что это открытие позволит ей довести скорость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет.
Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потребляя около 1 мА тока. Эти результаты превышают показатели существующих транзисторов на 80% по скорости при снижении энергопотребления на 50%. "Как в авиации существует принципиально важный "звуковой барьер", над преодолением которого работали авиастроители, так и в кремниевых транзисторах таким принципиальным барьером была скорость 200 ГГц, - сказал Бернар Меерсон (Bernard Meyerson), вице-президент Центра IBM по исследованиям и разработкам в области коммуникаций. - Поставщикам высокопроизводительной электроники не надо больше использовать микросхемы на экзотических и дорогих материалах для повышения скорости работы устройств. Кремний остается основным материалом для производства чипов."
Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы германия, заметно увеличив скорость тока в транзисторе, что улучшило производительность и снизило энергопотребление. В объявленном сегодня достижении, IBM объединила свои SiGe-технологии с изменением дизайна транзистора для сокращения пути электрического тока, что привело к дальнейшему увеличению скорости.
В стандартных транзисторах ток проходит горизонтально, и сокращение его пути связано с уменьшением ширины транзистора - чрезвычайно сложной задачей на сегодняшнем технологическом уровне. Разработанный IBM транзистор, названный "биполярным транзистором с гетеропереходом" (heterojunction bipolar transistor, HBT), имеет альтернативную конструкцию с вертикальным направлением тока. Уменьшение толщины транзистора за счет толщины SiGe-слоя - решаемая в процессе производства задача, благодаря чему IBM удалось сократить длину пути электричества и достичь улучшения производительности.
Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потребляя около 1 мА тока. Эти результаты превышают показатели существующих транзисторов на 80% по скорости при снижении энергопотребления на 50%. "Как в авиации существует принципиально важный "звуковой барьер", над преодолением которого работали авиастроители, так и в кремниевых транзисторах таким принципиальным барьером была скорость 200 ГГц, - сказал Бернар Меерсон (Bernard Meyerson), вице-президент Центра IBM по исследованиям и разработкам в области коммуникаций. - Поставщикам высокопроизводительной электроники не надо больше использовать микросхемы на экзотических и дорогих материалах для повышения скорости работы устройств. Кремний остается основным материалом для производства чипов."
Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы германия, заметно увеличив скорость тока в транзисторе, что улучшило производительность и снизило энергопотребление. В объявленном сегодня достижении, IBM объединила свои SiGe-технологии с изменением дизайна транзистора для сокращения пути электрического тока, что привело к дальнейшему увеличению скорости.
В стандартных транзисторах ток проходит горизонтально, и сокращение его пути связано с уменьшением ширины транзистора - чрезвычайно сложной задачей на сегодняшнем технологическом уровне. Разработанный IBM транзистор, названный "биполярным транзистором с гетеропереходом" (heterojunction bipolar transistor, HBT), имеет альтернативную конструкцию с вертикальным направлением тока. Уменьшение толщины транзистора за счет толщины SiGe-слоя - решаемая в процессе производства задача, благодаря чему IBM удалось сократить длину пути электричества и достичь улучшения производительности.
Поделиться