IBM представляет новую технологию для eDRAM

Корпорация IBM представила новую технологию «внутрикристалльной памяти» (on-chip memory) для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory) – встроенной динамической памяти с произвольным доступом.

Новая технология, разработанная с использованием методики IBM «кремний на изоляторе» (Silicon-on-Insulator, SOI) в целях обеспечения высоких уровней производительности при низком энергопотреблении, позволяет значительно увеличить быстродействие многоядерных микропроцессоров, а также ускорить обработку мультимедийных данных и передачу данных по сетям.

Планируется, что эта технология, коммерческое применение которой ожидается в начале 2008 года, станет ключевым элементом стратегии IBM по развитию поколения микропроцессоров, произведенных по 45-нм технологии.

Новая микросхема eDRAM, созданная IBM по 65-нанометровым нормам SOI с применением метода изоляции с глубокими канавками (deep trench), приблизительно на треть улучшает показатели производительности процессорной памяти и на одну пятую – потребляемой мощности в режиме ожидания – по сравнению со стандартной технологией статической памяти SRAM.