Графеновую электронику запустят в серию?

Исследователи из Норвежского университета естественных и технических наук запатентовали коммерчески перспективную технологию выращивания полупроводников на графеновой подложке.

Нанопровода из арсенида галлия, выращенные на графене, могут стать основой для новых типов устройств и кардинально изменить полупроводниковую промышленность.

Новый запатентованный гибридный материал имеет превосходные оптико-электронные свойства, например, низкую стоимость в сочетании с прозрачностью и гибкостью.

Данный материал производится с помощью нового метода выращивания полупроводниковых нанопроводов на атомарно тонких графеновых листах путем молекулярно-лучевой эпитаксии.

Разработчики подчеркивают, что это не новый продукт, а новый метод производства полупроводниковых приборов, который может найти самое широкое применение в производстве, например, солнечных батарей и светодиодов, перспективных трехмерных микросхем, сенсорных экранов, наномашин с автономным питанием, "холодных" высокопроизводительных компьютеров и т.д. Таким образом, наконец осуществится переход к новому типу электроники, которая откроет совершенно новые возможности и одновременно снизит нагрузку на окружающую среду.