Epson создает FeRAM нового поколения

Epson сообщает о разработке FeRAM нового поколения. Новая FeRAM (ferroelectric random access memory — сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам) обеспечивает в 10 раз больше циклов перезаписи по сравнению с устройствами предыдущего поколения. Epson разработала технологию следующего поколения для встроенных приложений и намеревается в ближайшем будущем начать серийное производство нового продукта.

Скорость новой FeRAM достаточно высока — цикл записи составляет 100 нс, что в 100 тыс. раз быстрее EEPROM, и она потребляет незначительное количество электроэнергии. Это позволит использовать FeRam не только в существующих на сегодняшний день приложениях с энергонезависимой памятью (например, в интегральных схемах и мобильных устройствах), но также заменить существующую полупроводниковую память в различных встроенных приложениях.

При разработке технологии FeRAM был использован новый материал PZTN, который был создан Epson путем замещения ниобием некоторых атомов титана в PZT (сплав свинца, цинка и титана). Благодаря использованию новых технологий удалось увеличить количество ниобия в PZTN в 20–30 раз. Созданные на его основе и при помощи 0,35-мкм CMOS-технологии устройства FeRAM обладают увеличенным сроком службы.