Американские исследователи создали прозрачный полупроводник p-типа с высокой электропроводностью

Исследователи из американского университета в штате Орегон сообщили о создании прозрачного полупроводника р-типа, имеющего электропроводность в 200 раз выше, чем у лучших известных на сегодня материалов такого типа.

Новые материалы имеют проводимость 220 Сименс/см. В основе материалов - соединения оксида меди. Наилучшие результаты показал материал на основе оксида меди и хрома. Эти разработки имеет важное значение для создания различных устройств, таких как прозрачные панели в автомобилях, невидимые электронные схемы в видоискателях и в любых других приложениях, где требуется нанесение невидимых электронных цепей на стекло или другую прозрачную поверхность. Таких приложений ранее практически не было из-за отсутствия соответствующих материалов, поскольку большинство полупроводниковых материалов непрозрачны.

Ученые из Орегона продолжат поиски новых приложений и одновременно будут работать над увеличением прозрачности и проводимости новых материалов, сообщила e4engineering.com.