AMD превосходит прогнозы на 2009 г. по быстродействию полупроводников

На Международной конференции по полупроводниковым материалам и устройствам в Токио специалисты корпорации AMD представили подробный доклад о работах по созданию транзисторов нового типа с тремя затворами, конструируемых на базе полупроводников SOI («кремний на диэлектрике») нового поколения и передовых технологий металлических затворов.

Предложенная AMD конструкция обеспечивает повышение производительности почти на 50% по сравнению с ранее опубликованными результатами исследований в области технологий металлических затворов. Эти показатели превышают уровень требований, установленный в проекте ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors — Международный технологический план выпуска полупроводников) на 2009 г., однако поскольку эта технология в значительной степени совместима с нынешними технологическими процессами изготовления, AMD рассматривает ее в качестве главного кандидата на применение в массовом производстве уже начиная с 2007 г.

В представленных результатах исследования отмечается повышение скорости переключения транзисторов и уменьшение утечки тока за счет соединения нескольких передовых технологий в одной структуре.

Уникальная сверхтонкая токопроводящая подложка, изготовленная из полностью обедненного кремния на диэлектрике (FDSOI), окружена с трех сторон металлическими затворами из силицида никеля. Использование технологии FDSOI с затворами из силицида никеля приводит к «растяжению» кристаллической решетки кремния на подложке и за счет этого к увеличению подвижности носителей тока.

Кроме того, структура FDSOI с несколькими затворами увеличивает эффективную ширину токопроводящего слоя в транзисторе и позволяет лучше контролировать электрические характеристики этого слоя. Эти факторы способствуют возрастанию тока во включенном состоянии, уменьшению тока в выключенном состоянии и более быстрому переключению, что приводит к резкому увеличению общей производительности транзистора.

«Появление новой трехзатворной структуры приближает нас еще на один шаг к практическому развертыванию производства транзисторов с несколькими затворами. Подобного рода исследования позволяют нам планировать выпуск самых высокопроизводительных решений более энергичными темпами, — говорит Крейг Сандер (Craig Sander), вице-президент AMD по вопросам разработки технологических процессов. — Многозатворная конструкция транзисторов во многом совместима с текущими технологическими процессами, что будет способствовать более активному внедрению этой технологии в массовое производство».

Источник: по материалам компании AMD.