Yellowstone: основа RDRAM нового поколения

22 октября Rambus представила сигнальную технологию Yellowstone для создания RDRAM-памяти нового поколения, позволяющую передавать данные между процессором и ОЗУ со скоростью 6,4 Гбит/с. Новая технология передачи данных Yellowstone Octal Data Rate (ODR) основывается на двух ключевых моментах:
  • Восьмеричная передача данных (передача до восьми бит данных за один такт) фактически представляет собой удвоенную скорость передачи данных в памяти Rambus. Использование системы фазовой синхронизации позволяет достигнуть тактовой частоты RDRAM 3,2 ГГц. Тактовая частота ядра увеличивается с 400 МГц до 1,6 ГГц, затем удваивается до 3,2 ГГц за счет системы фазовой автоподстройки частоты, которая позволяет считывать данные при изменении напряжения - способе, применяемом сейчас во всех DDR SDRAM.

  • Yellowstone использует дифференциальные реле для уменьшения величины получаемого при изменении напряжения сигнала до 200 мВ. Современные микросхемы RDRAM оперируют с амплитудой напряжения 800 мВ, некоторые DRAM - с амплитудой 3300 мВ (3,3 В). Уменьшение амплитуды приводит к более быстрому изменению напряжения и ускорению физической передачи сигнала. Это прямой путь к увеличению пропускной способности канала данных.

Представители Rambus отметили, что Yellowstone была разработана, прежде всего, для сферы видеоигр (к примеру, для новой игровой приставки Sony Playstation III), где высокая пропускная способность памяти необходима, прежде всего, для передачи больших массивов графических данных. Однако, как сказал вице-президент компании Дэвид Муринг (David Mooring), эта технология найдет однажды путь в ПК. Правда, такие прогнозы весьма сомнительны из-за большого давления на компанию со стороны Intel, а также довольно большой стоимости новых схем. Двухканальная система памяти, основанная на 266 МГц DDR SDRAM, например, может обеспечить скорость передачи данных до 4,2 Гб\с, занимая промежуточное значение между нынешними моделями и новой разработкой, при более привлекательной по сравнению с Rambus цене.


Основанная в марте 1990, Rambus Inc. занимается разработкой технологий для полупроводниковой промышленности. Компания Rambus вместе с партнерами разработала технологию, которая обеспечивает более быструю передачу данных, чем общепринятая в производстве элементов памяти технология dynamic-random-access-memory (DRAM). Одно устройство RDRAM от Rambus передает данные со скоростью свыше 1,6 ГБайт\сек. 25 ведущих производителей полупроводников получили лицензии на использование технологии Rambus. Устройства, разработанные на основе технологии RDRAM, применяются в более 200 приложениях - ПК, телекоммуникациях и др., включая сегмент высокоуровневых серверов, рабочих станций, настольных компьютеров, игровых приставок и др.