Создан новый некремниевый транзистор

Исследователи компании Intel разработали новый вид транзистора из материала, являющегося альтернативой кремнию. По их словам, микросхемы на основе новых транзисторов более производительны, используют меньше электроэнергии, чем обычные, и могут производ

Производство транзисторов из кремния является массовой технологий, так как позволяет постоянно повышать производительность. Однако по мере миниатюризации элементов микросхем начинают проявляться недостатки кремния. Миниатюризация ведет к росту тепловыделения и утечек электронов, а значит, к увеличению числа логических ошибок и энергопотребления процессоров.

Исследователи Intel предложили замену кремния для микросхем с уменьшенной элементной базой. Они создали новый транзистор из комбинированного материала на основе индий-галлия-арсенида и индий-алюминия-арсенида. Решение было представлено на выставке International Electron Devices в г. Вашингтоне.

Комбинированные полупроводники привлекательны, поскольку могут иметь высокую производительность при низком энергопотреблении. Но проблема заключается в неудовлетворительном совмещении таких материалов с кремнием, так как они имеют разную кристаллическую структуру. В результате часто возникают дефекты на их границе.

Исследователи Intel решили эту проблему, разместив на границе буферный слой толщиной чуть более 1 мкм, имеющий более высокую совместимость с кремниевой подложкой. Уникальность предложенной технологии заключается в создании буферного слоя из того же материала, который используется для транзисторов.