Полупроводниковые светильники подешевеют в разы

Себестоимость производства полупроводниковых светильников на основе GaN удастся снизить в разы за счёт использования подложек из кремния вместо используемых сейчас сапфировых.

Как сообщает пресс-служба Совета по исследованиям в области инженерии и физики (Engineering and Physical Sciences Research Council, EPSRC), исследовательская группа Кембриджского университета под руководством доктора Колина Хэмпфри (Colin Humphreys) разработала новую технологию производства полупроводника на основе нитрида галлия.

Промышленное освоение новой методики, по расчётам экономистов, приведёт к снижению через пять лет стоимости полупроводниковых светильников в четыре раза.

Экономичность новой методики связана. в частности, с тем, что теперь полупроводник можно создавать не на сапфировых, но на кремниевых подложках. Кроме того, удастся обеспечить массовое внедрение в быту осветительных устройств нового типа со значительно сниженным по сравнению с лампами накаливания энергопотреблением и высокими потребительскими характеристиками.

Полупроводниковые светильники на основе GaN имеют продолжительность работы порядка 100 тыс. часов, или примерно 60 лет. В них отсутствует ртуть. Они могут мгновенно отключаться. Возможна также плавная регулировка яркости.

Кроме того, существенно более точное, нежели в современных лампах "дневного" света, воспроизведение спектральных характеристик реального солнечного света позволит значительно улучшить физиологическое воздействие искусственного освещения на человека.

Светодиоды на основе GaN могут излучать в ультрафиолетовом диапазоне, что позволяет использовать их в санитарии - для очистки воды, обеззараживания медицинских учреждений, и т.д.

Более подробная информация о новой технологии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.