Нанопровода повысят плотность памяти

Американские ученые усовершенствовали технологию записи данных, основанную на использовании движущихся границ магнитных доменов вдоль нанопровода. Теперь для перемещения границ доменов требуется меньшая плотность спин-поляризованного тока, чем ранее.

Границы магнитных доменов внутри материала можно перемещать, либо прикладывая внешнее магнитное поле, либо инжектируя спин-поляризованный ток. Ученые считают, что это свойство магнитных материалов может быть использовано для изготовления так называемой «рейстрековой» памяти.

В рейстрековой памяти данные хранятся в виде последовательности доменов, которые для записи или получения информации перемещаются по нанопроводу через магнитную записывающую или считывающую головку.

Недостатком этого метода является необходимость увеличения плотности спин-поляризованного тока для перемещения границ доменов, закрепленных дефектами материала. Таким образом, необходимая плотность тока оказывается слишком высокой, чтобы эта технология могла использоваться для промышленного изготовления запоминающих устройств.

Д-р Стюарт Паркин (Stuart Parkin) и его коллеги из исследовательского центра IBM в Алмадене нашли способ уменьшения плотности тока более чем в 5 раз. Для разработки нового метода ученые использовали тот факт, что закрепленные домены обладают собственной частотой колебаний.

Если в материале генерируется последовательность импульсов тока, обладающих определенной длительностью и частотой, амплитуда колебаний доменной границы увеличивается, в результате чего она освобождается и начинает двигаться вдоль нанопровода. Длительность импульсов составляет примерно 1 нс, сообщает PhysicsWeb.

Ученые полагают, что новая технология может быть успешно использована для создания рейстрековой памяти.