Интерференционная литография: получено рекордное разрешение

Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT) добились значительного прогресса в технологии литографии, используемой в производстве микросхем и других электронных устройств. Им удалось получить на поверхности кремниевой подложки линейные структуры шириной 25 нм, разделенные промежутком в 25 нм.

В настоящее время для массового производства самых современных микросхем используют технологию, обеспечивающую минимальное расстояние между проводниками в 65 нм. Компания Intel недавно сообщила о предстоящем в 2009 г. вводе в эксплуатацию завода, где будет использоваться 33-нанометровый технологический процесс. Кроме того, Intel представила прогноз о переходе на 25-нанометровый процесс к 2013-2015 гг.

Методика, разработанная в MIT, может ускорить появление новых чипов, поскольку не использует методы иммерсионной литографии и дорогостоящее оборудование, требуемое для проведения оптической литографии в этом диапазоне размеров. Для создания периодических структур в наномасштабе исследователи из MIT применили метод интерференционной литографии, который изучается уже не один год во многих лабораториях мира (в России, в частности, в этом направлении работают группы из Института прикладной физики РАН и Института физики микроструктур РАН).

Успех нового варианта интерференционной литографии обеспечила "нанолинейка", созданная двумя студентами MIT. Студенты использовали генератор акустических волн с частотой 100 МГц для управления лазерным излучением, формирующим литографический рисунок на поверхности кремниевой подложки, при этом система позволяла отклонять лазерный луч и менять частоту излучения при помощи нового алгоритма высокоточного определения фазы.

Разработанная система, получившая название интерференционной литографии с лучевым сканированием (scanning-beam interference lithography, SBIL), способна создавать рисунок на большой поверхности. Марк Шаттенбург (Mark Schattenburg), один из авторов работы, заявил, что теперь формирование изображения с заданной точностью не является лимитирующим этапом процесса, и точность определяется уже свойствами самого материала подложки (неровностью боковых стенок). Однако уже сейчас просматриваются варианты преодоления этих недостатков.

Работа ученых из Бостона принята к публикации в журнале Optics Letters. Сообщение о разработке было сделано недавно на международной конференции по электронным, ионным и фотонным лучевым технологиям в г. Портленд (США), сообщает пресс-релиз MIT.