Одной из проблем всех производителей микросхем является линейная ширина полупроводников, стремящаяся снизить границу в 65 нм, что не позволяет использовать обычные фотолитографии. Как выразился однажды...
Одной из проблем всех производителей микросхем является линейная ширина полупроводников, стремящаяся снизить границу в 65 нм, что не позволяет использовать обычные фотолитографии. Как выразился однажды технологический директор компании Intel Сунлин Чу (Sunlin Chou), литография для разработчиков микросхем – как кисть для художника, однако в последнее время процесс похож на рисование тонких линий широкой кистью. Поэтому сам Intel возлагал надежды на технологию предельной ультрафиолетовой литографии Extreme Ultra Violet Lithography (EULV) для сохранения своей позиции лидера.
Однако японское издание Nihon Keizai Shimbun сообщило недавно о том, что компания Mitsui Mining and Smelting создала материал, который может быть использован в F2-литографии. По словам разработчиков, это система нового поколения, использующая фтористый лазер как источник света, которая позволяет создавать линии на полупроводниковых микросхемах, создаваемых по техпроцессу до 45 нм. Линза лазера выполнена из кристалла фтористого кальция, не содержащего молекул кислорода. Как считают в компании, промышленное производство такого материала можно будет начать уже до конца этого года.
