Государственные, промышленные и академические исследователи объединили свои усилия в поиске материалов для нового поколения интегральных схем. Исследовательский Центр Томаса Дж. Уотсона компании IBM вместе...
Государственные, промышленные и академические исследователи объединили свои усилия в поиске материалов для нового поколения интегральных схем. Исследовательский Центр Томаса Дж. Уотсона компании IBM вместе с учеными Техасского Университета в Остине и Национального Института стандартов и технологий решили измерить пространственное расположение сложных химических процессов в фоточувствительных материалах, используемых при травлении компонентов микросхем.
Проведя рентгеновские и нейтронные исследования, ученые отметили, что почти молекулярные размеры использованных средств позволили непосредственно привязать химические реакции фоторезисторов к конфигурации и составу окончательно напечатанной структуры. Результаты этих опытов были опубликованы 19 июля в журнале "Наука" ("Science"). По утверждению ученых, измерения должны были быть в пределах от 2 до 5 нм, что соизмеримо с характерным размером молекул полимеров в фоторезисторах, использовавшихся в качестве исследуемых образцов.
