Toshiba уместила больше чипов в стандартный модуль
Такое улучшение стало возможным благодаря усовершенствованной технологии крепления и прогрессу технологии производства микросхем, которая уменьшила толщину чипов с 85 до 70 нанометров, сказал Нагаки.
Для пользователей мобильных телефонов и прочей малогабаритной портативной электроники эта технология позволит производителям выпускать аппараты меньшего размера, так как чипы могут быть собраны в единый корпус, или производить функционально более богатые и мощные продукты, потому что дополнительная память и другие компоненты могут быть добавлены, не жертвуя размером.
Toshiba уже начала производство образцов таких микросхем и планирует начать массовое производство в мае, сказал Нагаки. Эти образцы содержат четыре типа памяти, разделённые тремя прокладками: один чип объёмом 8 Мб типа SRAM (статический RAM), один чип 128 Мб Sdram (синхронный DRAM), 3 чипа флэш-памяти по 128 Мб типа NOR и 1 чип памяти 128 Мб типа NAND. МСР также включает три шины данных, таким образом, память может быть соединена с процессором на частоте, которая подходит данному типу памяти.
Источник: по материалам сайта ComputerWeekly.com.