STMicroelectronics представил новую технологию

STMicroelectronics, третий по величине мировой производитель полупроводниковой продукции, раскрыл детали технологии, позволяющей световым эмиттерам на основе кремния сравняться... STMicroelectronics, третий по величине мировой производитель полупроводниковой продукции, раскрыл детали технологии, позволяющей световым эмиттерам на основе кремния сравняться в эффективности с традиционными светоизлучающими составными полупроводниковыми материалами типа арсенида галлия (GaAs). Для новой технологии возможно множество применений, когда оптические и электрические свойства комбинируются в одном кремниевом чипе.

Материал, используемый в новой разработке компании, представляет собой слои кремния, обогащенного кислородом, в которые внедрены ионы редкоземельных элементов. При этом полученные характеристики приблизительно в 100 раз лучше, чем получаемые прежде у кремния. Частота светоиспускания зависит от вида применяемого редкоземельного элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний.

Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Organization компании STMicroelectronics, которая специализируется на обзоре и внедрении в производство технологических результатов взаимодействия микроэлектроники, физики, химии и биологии. Одним из первых применений новой технологии станет построение управляющего устройства питания, в котором схемы управления будут электрически изолированы от тока, переключающего транзисторы.

Компания также запатентовала новую структуру, в которой две схемы, расположенные на одном чипе, но электрически изолированные друг от друга с помощью диоксида кремния, связываются посредством оптических сигналов, используя встроенные кремниевые световые излучатели и датчики. Такая структура может использоваться во множестве важных устройств, в том числе в источниках питания, транзисторных реле и других приложениях, где на схемы питания подается гораздо более высокое напряжение, чем на схемы управления. До конца этого года должен появится первый опытный образец подобной структуры.

Источник: по материалам сайта STMicroelectronics.