Samsung вложит $220,4 млн. в разработку новой памяти
Согласно заявлению Samsung, исследователи сосредоточатся на разработке новых микросхем флэш-памяти для сотовых телефонов и цифровых фотокамер, а также DRAM-модулей для компьютеров. Вложение средств в разработку новых чипов памяти является частью плана Samsung инвестировать 7 трлн. вон в производство полупроводников в 2004 году. Для сравнения, вложения Samsung должны более чем в полтора раза превзойти инвестиции, запланированные компанией Intel в объеме от $3,5 до $3,9 млрд.
В прошлом году Samsung инвестировал в производство микросхем 6 трлн. вон.
Источник: по материалам Reuters ©