Samsung создал NAND-память емкостью 4 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поколение NAND-памяти... Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поколение NAND-памяти Samsung.

К 2007 году объем мирового рынка NAND-памяти составит $16 млрд., считают аналитики, тогда как в нынешнем году он достиг $3 млрд. Samsung обслуживает на данный момент 65% этого рынка.

Представители Samsung сообщили также, что компания разработала технологию массового производства модулей DDR DRAM емкостью 512 МБ по 80-нанометровому процессу. Также они анонсировали новую технологию "сращивания памяти" (fusion memory), позволяющую объединить емкость флэш-памяти типа NAND со скоростью передачи данных, свойственной NOR-памяти.

Источник: Digital Chosun.