Raytheon успешно испытал GaN на соответствие требованиям военных

Испытания полупроводников на базе нитрида галлия (GaN), проведенные в подразделении Integrated Defense Systems компании Raytheon, показали возможность их использования в военной аппаратуре. В частности...

Испытания полупроводников на базе нитрида галлия (GaN), проведенные в подразделении Integrated Defense Systems компании Raytheon, показали возможность их использования в военной аппаратуре. В частности, в ходе испытаний было показано, что эксплуатационный срок службы монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (monolithic microwave integrated circuits, MMICs) на базе GaN составляет как минимум 80 тыс. часов, что соответствует примерно 9 годам эксплуатации в военной технике.

Согласно представленной пресс-службой Raytheon информации, мощность схем на базе GaN на порядок превышает аналогичные показатели полупроводников, изготавливаемых по технологиям сегодняшнего дня. Использование GaN в радарах позволит повысить их выходную мощность по сравнению с современными радарами с аналогичной антенной апертурой, их дальность действия и чувствительность, либо значительно уменьшить габариты антенн.

Возможно, например, уменьшение габаритов антенны в 2 раза при одновременном удвоении объема поиска радара. Уменьшение габаритов антенн позволит повысить их транспортабельность и снизить стоимость эксплуатации.

В компании Lockheed Martin ведутся работы по созданию твердотельных масштабируемых радарных антенн S-диапазона из карбида кремния (SiC).