Прорыв в литографии позволит опровергнуть закон Мура

Ученые из университета в Висконсине нашли путь создания 20-нанометрового чипа со 10-нанометровой маской, давая тем самым неожиданный поворот закону Мура и, возможно, продлевая жизнь современной литографии.... Ученые из университета в Висконсине нашли путь создания 20-нанометрового чипа со 10-нанометровой маской, давая тем самым неожиданный поворот закону Мура и, возможно, продлевая жизнь современной литографии. Так называемая "технология пика яркости" регулирует пространство между маской и пластиной подложки для контроля фаз рентгеновской литографии.

Как рассказал один из создателей этой технологии профессор Франко Керрина (Franco Cerrina), их группа изучала, как использовать фазовый переход для контроля дифракции - технология, работающая как для рентгеновской, так и для традиционной оптической литографии. В Международном Технологическом плане развития для полупроводников такие замечательные возможности размера намечены на "приблизительно 2010 год".

Технология, разработанная в соавторстве с Synchrotron Radiation Center, дает 8-летний запас для закона Мура. Как известно, согласно этому закону число транзисторов, которое может размещаться на чипе, удваивается каждые 18 месяцев. Как утверждают изобретатели Висконсинского Университета, современные чипы, которые используют 248-нанометровые или 193-нанометровые фотомаски, могут только достигать 100 нм в фоторезисторном слое чипа. Как считается, производителям чипов придется отказаться от кварцевых линз, поглощающих слишком много света, и перейти к использованию специальных зеркал, чтобы сфокусировать свет через маску на чипе, размеры которого меньше 100 нм.

Ученые открыли технологию пиковой яркости маски при исследовании пределов рентгеновской литографии. Они обнаружили, что дифракция является основной причиной поглощения света при уменьшении размеров маски, и что они могут контролировать фазы рентгеновских лучей, изменяя зазор между маской и подложкой. Исследователи уже получили патент на свое открытие.

Источник: по материалам сайта EE Times.