Motorola и национальные исследовательские центры США будут совместно разрабатывать диэлектрические материалы для новых поколений микропроцессоров

Компания Motorola заключила соглашения с американскими национальными лабораториями Oak Ridge National Laboratory (ORNL), и Pacific Northwest National Laboratory (PNNL) о разработке новых диэлектрических материалов.

Исследования и разработки будут направлены на создание материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, которые необходимы для дальнейшего уменьшения размеров микросхем. Используемый в настоящее время в качестве изолирующего слоя диоксид кремния имеет в микросхемах минимальную толщину около 35 ангстрем, что соответствует приблизительно 25 диаметрам атомов кремния. При уменьшении слоя до 20 ангстрем диоксид кремния теряет свои изолирующие свойства.

Исследователи поставили себе цель - добиться уменьшения изолирующего слоя до 10 ангстрем. Лишь при таких размерах диэлектрического слоя можно существенно повысить плотность размещения структурных элементов в микросхеме и тем самым повысить производительность.

Motorola уже несколько лет работает в этом направлении и в 1999 г. продемонстрировала первый действующий транзистор, где в качестве диэлектрика использовали кристаллы титаната стронция, выращенные на кремниевой подложке. У нового материала диэлектрические свойства оказались в 10 раз выше, чем у диоксида кремния. ORNL также смогла добиться впечатляющих результатов.

Теперь компании решили объединить усилия для ускорения своих разработок и их дальнейшего использования в производстве полупроводников.