Изготовлены транзисторы на основе фуллеренов

Ученые из технологического института Джорджии сконструировали эффективные полевые транзисторы на основе пленок С60. Новые приборы обладают более высокой величиной подвижности электронов, чем транзисторы...

Ученые из технологического института Джорджии сконструировали эффективные полевые транзисторы на основе пленок С60. Новые приборы обладают более высокой величиной подвижности электронов, чем транзисторы на основе аморфного кремния, а также низким пороговым напряжением, высоким отношением уровней сигнала во включенном и выключенном состояниях и высокой стабильностью работы.

Транзисторы, разработанные проф. Бернардом Киппеленом (Bernard Kippelen) и его коллегами, изготавливаются при комнатной температуре. Величина подвижности электронов для них составляет 2,7-5 см²/В/с. Транзисторы на основе С60 очень чувствительны к кислороду, поэтому они могут работать только в атмосфере азота. Ученые надеются преодолеть это ограничение путем герметизации прибора и использования других видов фуллеренов.

Для изготовления транзисторов д-р Киппелен и его коллеги осаждали из газообразной фазы тонкие пленки С60 на поверхность кремниевой подложки, на которой уже имелись затворный электрод и затворный диэлектрик. Затем на поверхности углеродных пленок формировались электроды истока и стока.

Новые транзисторы могут использоваться для создания гибких электронных приборов, область применения которых очень велика: от дисплеев и активных электронных билбордов до RFID-меток, сообщает EurekAlert.