Исследователи Intel создали транзистор с размерами 0,02 мкм

Исследователи корпорации Intel продемонстрировали на конференции по полупроводникам Silicon Nanoelectronics Workshop в Киото транзисторы со структурами размером всего в... Исследователи корпорации Intel продемонстрировали на конференции по полупроводникам Silicon Nanoelectronics Workshop в Киото транзисторы со структурами размером всего в 20 нм (0,02 мкм).

Этот технологический прорыв позволит Intel в будущем (предположительно к 2007 г.) создавать процессоры с 1 млрд. транзисторов, с тактовой частотой 20 ГГц и действующих при напряжении менее 1 В. Быстродействие новых транзисторов на 25% выше, чем у самых быстрых транзисторов. Таким образом, Intel удалось еще на 10 лет по крайней мере еще на три поколения процессоров - обеспечить справедливость закона Мура. Кроме того, разработка нового транзистора опровергла мнения скептиков о том, что нанотехнологии в скором времени заменят традиционные кремниевые технологии. Исследователи считают, что эти направления не конкурируют, а скорее дополняют друг друга.

Новые транзисторы будут лежать в основе технологического 0,045-мкм процесса, который планируют использовать в массовом производстве с 2007 г.