70-50 нм - новые горизонты нанотехнологий
Проект был предложен организацией "Современная промышленная наука и технология" (Advanced Industrial Science and Technology - AIST) и Ассоциацией сверхсовременных электронных технологий (Association of Super-Advanced Electronics Technologies - ASET) при поддержке государственной Организации по разработке новых энергетических и промышленных технологий (New Energy and Industrial Technology Development Organization -NEDO), и для его реализации было выделено 3,8 млрд. йен ($31,7 млн.).
7-летний проект отличается от начатого в апреле проекта Asuka, который направлен на развитие 100-70 нм технологии SoC. MIRAI (что означает "будущее" по-японски) включает 5 основных направлений, на которых будет сконцентрировано особое внимание:
- high-k (с диэлектрической проницаемостью k значительно выше, чем у SiO2) соединения для изоляторов транзисторных затворов;
- low-k (диэлектрики с низким коэффициентом k) соединения для межслойных диэлектриков в многоуровневой металлизации (для снижения уровня взаимных электромагнитных помех между соседними слоями);
- новые структурированные кристаллы, например, из деформированного кремния;
- технология дефектоскопии с помощью литографической маски;
- архитектура схем.