Samsung демонстрирует первый макет HBM5 с охлаждением Heat Path Block: намечается гонка в области теплоотвода с SK hynix
Samsung продемонстрировала первый физический макет памяти HBM5 на выставке Computex 2026 в Тайбэе. Представители Tom's Hardware ознакомились с сочетанием памяти для искусственного интеллекта восьмого поколения и новой структуры охлаждения в корпусе, которую компания называет Heat Path Block, или HPB. Буквально на прошлой неделе конкурент SK hynix представил собственный тепловой дизайн iHBM, что означает, что обе компании теперь сосредоточены на одном и том же узком месте в теплоотводе на межкристальном интерфейсе, соединяющем память с процессором. Samsung также подтвердила, что будет производить базовый кристалл HBM5 по собственному 2-нм техпроцессу, в отличие от 4-нм узла, использовавшегося для HBM4 и HBM4E.
Вместо того чтобы позволять теплу рассеиваться наружу через основные кристаллы, HPB создает отдельный набор тепловых стоек, которые отводят тепло изнутри стека и передают его на теплораспределитель, расположенный над или рядом с корпусом, согласно заявлению Samsung на Computex.
Конструкция сосредоточена на физическом уровне D2D, высокоскоростном канале связи между базовым кристаллом HBM и графическим процессором, где плотность мощности и температуры экспоненциально возрастают по мере увеличения высоты стеков и роста их быстродействия. Samsung сообщила, что уже внедрила и проверила HPB на HBM4E, поколении, первые 12-слойные образцы которого она начала отгружать в прошлом месяце на скорости 14 Гбит/с с масштабированием до 16 Гбит/с и пропускной способностью 3,6 ТБ/с на стек.
Samsung ведет как бизнес по производству памяти, так и контрактное производство логических микросхем, что позволяет ей самостоятельно создавать стек HBM5 и расположенный под ним 2-нм кристалл. Системы искусственного интеллекта становятся более мощными и плотно интегрированными, что делает управление теплом, эффективность обработки данных и стабильность корпусировки столь же важными, как и сама производительность памяти, заявил журналистам на Computex Сон Чжэ Хёк, президент и технический директор подразделения Device Solutions компании Samsung, по сообщению Korea Herald. Сон отметил, что компания будет продолжать повышать свою конкурентоспособность в области памяти следующего поколения посредством сотрудничества с партнерами, включая Nvidia.
В прошлом году дорожная карта KAIST прогнозировала, что HBM5 достигнет 4096-битного интерфейса, примерно 4 ТБ/с на стек и потребляемой мощности около 100 Вт на стек. Такая тепловая нагрузка во многом объясняет, почему оба корейских гиганта памяти перерабатывают свою корпусировку сейчас, а не на этапе запуска.
SK hynix столкнулась с той же проблемой, но пошла другим путем. В конструкции iHBM в физический уровень D2D встраиваются охлаждающие элементы из электроизоляционного и теплопроводного кремния, что, по заявлению компании, снижает тепловое сопротивление более чем на 30 процентов по сравнению с текущими продуктами.
SK hynix решила разместить охлаждающий элемент непосредственно в зоне максимального нагрева, тогда как Samsung создала маршрут для отвода тепла от этой зоны. Оба метода должны дебютировать вместе с HBM5, но пройдет некоторое время, прежде чем они появятся в действующих устройствах, поскольку ни одна из компаний не ожидает выхода на массовое производство до 2028 года.
Поделиться
