Kioxia и Sandisk представили флеш-память 3D NAND с рекордной плотностью

Kioxia и Sandisk представили флеш-память 3D NAND с рекордной плотностью: 332 активных слоя и интерфейс до 4800 МТ/с

Компании Kioxia и Sandisk в рамках конференции Future of Memory and Storage Conference официально представили новейшее устройство BiCS10 3D QLC NAND. Данный чип обладает наивысшей в мире поверхностной плотностью записи и предназначен для твердотельных накопителей (SSD) класса Data Center высокой емкости. Основная цель разработки — максимизация плотности хранения данных в серверных центрах. Новое решение следует за предыдущим устройством Kioxia и Sandisk BiCS 3D TLC NAND, которое обеспечивало поверхностную плотность свыше 29 Гбит/мм?.

Представленное на конференции устройство BiCS10 3D QLC NAND демонстрирует поверхностную плотность 37 Гбит/мм?, что делает его самым плотным накопителем 3D NAND, официально представленным на сегодняшний день. Чип содержит 332 активных слоя и поддерживает интерфейс со скоростью до 4800 МТ/с с функцией отдельного адреса команд (SCA). Производители не раскрывают фактическую емкость интегральной схемы. Однако, исходя из предположения о том же количестве ячеек памяти и примерно таком же размере кристалла, как у чипа BiCS10 3D TLC NAND емкостью 1 Тбит, представленного в прошлом месяце, новая память должна иметь емкость 1,33 Тбит.

Новый флеш-чип BiCS10 3D QLC NAND с рекордной плотностью хранения ориентирован на SSD класса Data Center, которые должны обеспечивать как высокую емкость, так и достойную производительность благодаря высокоскоростному вводу/выводу памяти флэш-типа. Поскольку такие приложения также стремятся к снижению энергопотребления, Kioxia и Sandisk внедрили технологию изоляции питания с низким уровнем терминирования (PI-LTT). Данная технология предназначена для снижения мощности, потребляемой высокоскоростными выходными драйверами, без ущерба для целостности сигнала.

Поскольку Kioxia и Sandisk производят устройство BiCS10 3D QLC NAND по новейшей технологической линии BiCS10, они достигают не только рекордной битовой плотности, но и снижают затраты по сравнению с конкурирующими ИС 3D QLC NAND высокой плотности после того, как выход годных изделий достигнет целевых уровней. В результате две компании смогут предлагать SSD сверхвысокой емкости по более низким ценам, чем у конкурентов, или получать более высокую маржу при продаже по аналогичным ценам.

«Пересматривая границы производительности и эффективности QLC NAND, наша 3D флеш-память BiCS QLC 10-го поколения обеспечивает одновременный рост плотности, пропускной способности и энергоэффективности, создавая новую парадигму для высокоемкостного флэш-хранилища и предоставляя масштабируемую основу для приложений инфраструктуры следующего поколения», — сказал Альпер Илкибахар, главный технологический директор Sandisk.

Kioxia и Sandisk намерены использовать свои устройства BiCS10 3D NAND преимущественно для хранилищ класса Data Center (в частности, SSD для искусственного интеллекта, которым требуются емкость и производительность). Поэтому остается неизвестным, когда именно подобные ИС появятся в клиентских SSD.

Ниже приведена сравнительная таблица характеристик 3D NAND-памяти от различных производителей на основе предоставленных данных.

Источник